Si MOSFET矽金屬氧化物半導體場效晶體管

產品介紹

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Si MOSFET矽金屬氧化物半導體場效晶體管

產品說明

Si MOSFET(矽金屬氧化物半導體場效電晶體)是富致科技官網列出的功率元件系列,具備高效率、低導通電阻及快速切換特性,廣泛應用於電源管理、馬達控制、消費性電子與工業設備。

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產品詳情
規格說明
*低導通電阻 :減少功率損耗,提高效率。
*低輸入/米勒電容:降低開關延遲,適合高頻應用。
*低閘極電荷 :提升開關速度,減少能量消耗。
*雪崩能量特性佳:能承受瞬間高壓衝擊,提升可靠性。
*結構技術:採用 Shield Gate Trench (SGT) 設計,進一步降低損耗。
*環保合規:符合 RoHS、Pb-Free 標準。

 
Part Number Vds (V) Id (A) Rds(on) (mΩ) Vgs(th) (V) Qg (nC) Ciss (pF) trr (ns) Pd (W) RthJC (°C/W) Tj (°C)
SiM30N04 40 100 3.5 2.0 45 1500 80 200 0.5 -55~150
SiM60N06 60 80 8.0 3.0 65 1800 90 150 0.6
SiM200N10 100 50 20 2.5 90 2200 120 120 0.7
SiM400N15 150 25 45 3.5 110 2500 130 95 0.8
SiM650N20 200 30 60 3.5 120 2800 140 100 0.9
SiM900N30 300 20 120 4.0 150 3000 150 80 1.0
SiM1200N60 600 15 250 4.0 180 3500 160 60 1.2
SiM1500N100 1000 10 500 4.5 200 4000 180 50 1.5
聯絡方式 : 如有任何疑問,歡迎透過 LINE:jhih2649 與我們聯繫
產品詳情
*低導通電阻 :減少功率損耗,提高效率。
*低輸入/米勒電容:降低開關延遲,適合高頻應用。
*低閘極電荷 :提升開關速度,減少能量消耗。
*雪崩能量特性佳:能承受瞬間高壓衝擊,提升可靠性。
*結構技術:採用 Shield Gate Trench (SGT) 設計,進一步降低損耗。
*環保合規:符合 RoHS、Pb-Free 標準。

 
規格說明
Part Number Vds (V) Id (A) Rds(on) (mΩ) Vgs(th) (V) Qg (nC) Ciss (pF) trr (ns) Pd (W) RthJC (°C/W) Tj (°C)
SiM30N04 40 100 3.5 2.0 45 1500 80 200 0.5 -55~150
SiM60N06 60 80 8.0 3.0 65 1800 90 150 0.6
SiM200N10 100 50 20 2.5 90 2200 120 120 0.7
SiM400N15 150 25 45 3.5 110 2500 130 95 0.8
SiM650N20 200 30 60 3.5 120 2800 140 100 0.9
SiM900N30 300 20 120 4.0 150 3000 150 80 1.0
SiM1200N60 600 15 250 4.0 180 3500 160 60 1.2
SiM1500N100 1000 10 500 4.5 200 4000 180 50 1.5
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